SPB18P06PG

SPB18P06P
PDF資料下載

SPB18P06P參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：18.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：130毫歐@13.2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：28nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：860pF@25V
功率-最大值：81.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3